[DRAM] SK하이닉스, 2030년 월 100만 장 — DRAM 캐파 2배 증설 본격화
  •  06/08/2026 10:24

SK하이닉스가 2030~2031년까지 월 DRAM 웨이퍼 생산능력을 약 55만 장에서 100만 장으로 두 배 가까이 늘립니다. 용인 클러스터 가속, 신규 캐파 전량 DRAM 배정, 청주 M15X 가동, 삼성 P4·P5 증설까지 핵심만 정리했습니다.

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[메모리 시장] 메모리 빅3 나란히 1조 달러 클럽 "변동성 산업 꼬리표 떨어졌다"
  •  05/29/2026 18:13

삼성전자·SK하이닉스·마이크론 메모리 빅3가 사상 처음 동시에 시가총액 1조 달러를 돌파했습니다. AI 수요와 장기공급계약(LTA)이 만든 구조적 재평가의 의미와 조달 시사점을 유한엠엔티가 분석합니다.

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ADATA "삼성 파업이 메모리 가격 끌어올린다" — 중국發 충격은 2028년 이후
  •  05/22/2026 10:16

ADATA 회장 Simon Chen이 삼성 파업의 가격 상승 효과와 NAND 선행 강세를 전망했다. 한편 전 삼성 반도체 사장 Kyung Kye-hyun은 2H 2026부터 중국 영향이 시작될 것이라 경고했지만, Chen은 점유율 기저효과로 2028년 이전엔 큰 변화가 없다고 반박했다. 두 거물의 시각이 정면으로 엇갈리는 시점.

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DDR4 부족이 막은 DDR5 전환 — Nanya "전 DRAM 마진이 HBM 능가"
  •  05/22/2026 09:45

Nanya Technology가 "현재 모든 DRAM 제품의 마진이 HBM을 상회한다"고 밝혔다. DDR4·LPDDR4 부족이 DDR5 전환을 막는 가운데, 글로벌 4대 고객이 US$2.5B 사모증자로 3년 캐파를 선점했다. 메모리 시장이 2027년까지 이어질 구조적 전환점에 들어섰음을 보여주는 신호다.

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삼성·SK하이닉스 1Q26 메모리 가격 폭등 — 삼성 ASP 146%·SK 70%대 상승
  •  05/20/2026 08:56

TrendForce 발 분석: 2026년 1분기 삼성전자 메모리 평균판매가격(ASP)이 2025년 평균 대비 146% 폭등, SK하이닉스 DRAM ASP는 60%대 중반·NAND는 70%대 중반 상승. 삼성 DX는 처음으로 모바일 메모리를 원자재 조달 목록에 추가. 양사 HBM4·HBM4E 개발 본격 가속.

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빅테크, SK하이닉스에 EUV 장비·팹 투자 제안
  •  05/11/2026 01:46

빅테크가 SK하이닉스에 생산라인·ASML EUV 장비 비용 분담을 제안하며 메모리 공급 선점 경쟁이 새 국면에 진입했다. 용인 DRAM 라인이 주요 타깃.

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